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  1. 点点滴滴了解内存知识

  2. [10-10 23:22:12]   来源:http://www.85jc.com  内存故障   阅读:8676

概要:TinyBGA:英文全称为Tiny Ball Grid Array(小型球栅阵列封装),其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,是KingMax的专利,属于BGA封装技术的一个分支。 TSOP II:英文全称为Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封装),目前广泛应用于SDRAM内存的制造上,但是随着时间的推移和技术的进步,TSOP II已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。 DRAM封装技术从最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。从现在主流SDRAM的模组来看,除了胜创科技(KingMAX)首创的TinyBGA技术和樵风科技首创的BLP封装模式外,绝大多数还是采用TSOP的封装技术。采用TinyBGA封装的内存大小是TSOP封装内存的三分之一,也就是说,同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍。此外,TinyBGA封装内存不但体积小,同时也更薄,其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm,大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性,同时其线路阻抗大大减小,芯片速度也随之得到

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  TinyBGA:英文全称为Tiny Ball Grid Array(小型球栅阵列封装),其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,是KingMax的专利,属于BGA封装技术的一个分支。

  TSOP II:英文全称为Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封装),目前广泛应用于SDRAM内存的制造上,但是随着时间的推移和技术的进步,TSOP II已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。

  DRAM封装技术从最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。从现在主流SDRAM的模组来看,除了胜创科技(KingMAX)首创的TinyBGA技术和樵风科技首创的BLP封装模式外,绝大多数还是采用TSOP的封装技术。采用TinyBGA封装的内存大小是TSOP封装内存的三分之一,也就是说,同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍。此外,TinyBGA封装内存不但体积小,同时也更薄,其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm,大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性,同时其线路阻抗大大减小,芯片速度也随之得到大幅度的提高。

  随着DDR、RDRAM的陆续推出,内存频率提高到了一个更高的水平http://www.85jc.com,TSOP封装技术渐渐有些力不从心了,难以满足DRAM设计上的要求。从Intel力推的Rambus来看,采用了新一代的μBGA封装形式,相信未来DDR等其他高速DRAM的封装也会采取相同或不同的BGA封装方式。而SDRAM架构(PC133、DDR)的低成本优势及广泛的应用领域会使其继续占据一定的市场份额。相信未来的DRAM市场将会是多种结构并存的局面。

  数据带宽

  所谓数据带宽就是内存的数据传输速度,它是衡量内存性能的重要标准。通常情况下,PC133的SDRAM在额定频率(100MHZ)下工作时,其峰值传输速度可以达到800MB/秒。工作在133MHZ下的PC133内存,其峰值传输速度已经达到了1.06GB/秒,这一速度比PC100内存提高了200MB/S,在实际使用中,其性能的提高是很明显的。对于DDR内存而言,由于在同一个时钟的上升和下降沿都能传输数据,所以工作在133MHZ时,它的实际传输速度可以达到2.1 GB/S的水准,也就是普通SDRAM内存工作在266MHZ下所拥有的带宽。此外,双通道的PC800的Rambus DRAM内存其数据传输带宽也达到了3.2GB/S速度。



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